Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V metalorganic sources (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V metalorganic sources (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.apsusc.2003.09.011 (literal)

Alternative label

• M Begotti, M Longo, R Magnanini, A Parisini, L Tarricone, C Bocchi, L Lazzarini, L Nasi, M Geddo (2004)
  Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V metalorganic sources
  in Applied surface science; ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M Begotti, M Longo, R Magnanini, A Parisini, L Tarricone, C Bocchi, L Lazzarini, L Nasi, M Geddo (literal)

Pagina inizio

• 423 (literal)

Pagina fine

• 431 (literal)

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• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433203011462 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 222 (literal)

Rivista

• Applied surface science (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1-4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Parma, Dipartimento Fis, INFM, I-43010 Parma, Italy; CNR, Ist IMEM, I-43010 Parma, Italy; Univ Pavia, Dipartimento Fis, INFM, I-27100 Pavia, Italy (literal)

Titolo

• Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V metalorganic sources (literal)

Abstract

• Lattice-matched, single and multiple InGaP/GaAs/InGaP quantum wells (QWs) were grown at 600 degreesC by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy (LP-MOVPE), with the use of the tertiarybuthylarsine (TBAs) and tertiarybuthylphosphine (TBP) group-V sources. In order to enhance the interface abruptness, different gas switching sequences were exploited during the growth of the interface, and the best results were obtained by inserting a few monolayer-thick GaAsP interlayers (IL), at the direct GaAs-on-InGaP interface. Low-temperature photoluminescence (PL), high resolution X-ray diffraction, transmission electron microscopy and photoreflectance spectroscopy analysis were performed on the grown heterostructures, to correlate the adopted growth sequence with the interface properties and the QW optical transitions. (literal)

Editore

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• CLAUDIO BOCCHI (Persona)
• LUCIA NASI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V metalorganic sources" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• CLAUDIO BOCCHI (Persona)
• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

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• Applied surface science (Rivista)

Editore di

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V metalorganic sources" (Insieme di parole chiave)