Si surface passivation by Al2O3 thin films deposited using a low thermal budget atomic layer deposition process (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Si surface passivation by Al2O3 thin films deposited using a low thermal budget atomic layer deposition process (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4800541 (literal)

Alternative label

• Seguini, G ; Cianci, E ; Wiemer, C ; Saynova, D ; van Roosmalen, JAM ; Perego, M (2013)
  Si surface passivation by Al2O3 thin films deposited using a low thermal budget atomic layer deposition process
  in Applied physics letters (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Seguini, G ; Cianci, E ; Wiemer, C ; Saynova, D ; van Roosmalen, JAM ; Perego, M (literal)

Pagina inizio

• 131603 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 102 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, Lab MDM, I-20864 Agrate Brianza, MB, Italy ECN Solar Energy, NL-1755 ZG Petten, Netherlands (literal)

Titolo

• Si surface passivation by Al2O3 thin films deposited using a low thermal budget atomic layer deposition process (literal)

Abstract

• High-quality surface passivation of crystalline Si is achieved using 10 nm thick Al2O3 films fabricated by thermal atomic layer deposition at 100 degrees C. After a 5 min post deposition annealing at 200 degrees C, the effective carrier lifetime is 1 ms, indicating a functional level of surface passivation. The interplay between the chemical and the field effect passivation is investigated monitoring the density of interface traps and the amount of fixed charges with conductance-voltage and capacitance-voltage techniques. The physical mechanisms underlying the surface passivation are described. The combination of low processing temperatures, thin layers, and good passivation properties facilitate a technology for low-temperature solar cells. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)
• ELENA CIANCI (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Si surface passivation by Al2O3 thin films deposited using a low thermal budget atomic layer deposition process" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• ELENA CIANCI (Persona)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Si surface passivation by Al2O3 thin films deposited using a low thermal budget atomic layer deposition process" (Insieme di parole chiave)