Electrical characterization of GaSb buried p-n junctions (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Electrical characterization of GaSb buried p-n junctions (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/ASDAM.2012.6418523 (literal)

Alternative label

• M. Baldini a, E. Gombia a, A. Parisini b, L. Tarricone b, C. Ghezzi b, C. Frigeri a and A. Gasparotto c (2012)
  Electrical characterization of GaSb buried p-n junctions
  in 9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), Smolenice Castle (SLOVAKIA), NOV 11-15, 2012
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M. Baldini a, E. Gombia a, A. Parisini b, L. Tarricone b, C. Ghezzi b, C. Frigeri a and A. Gasparotto c (literal)

Pagina inizio

• 239 (literal)

Pagina fine

• 242 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Sponsor(s): IEEE; EDS; ELU; Slovenska Akademia Vied; IEEE Electron Devices Soc (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• a IMEM-CNR, Parma, Italy; b CNISM, Dipartimento di Fisica, Università di Parma, Italy; c CNISM, Dipartimento di Fisica, Università di padova, Italy (literal)

Titolo

• Electrical characterization of GaSb buried p-n junctions (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-1-4673-1195-3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Hascik, Stefan ; Osvald, Jozef (literal)

Abstract

• Buried GaSb junctions were realized through Zn diffusion in Te-doped GaSb bulk crystals, the p-dopant being supplied through the epitaxial deposition of a heavily Zn-doped GaAs layer on GaSb. Structural and electrical investigations confirm the build-up of buried junctions, induced by Zn diffusion within GaSb, with satisfying rectifying properties. Surprisingly, the p-n junctions are formed more deeply with respect to the Zn diffusion front. A local rising up of the native acceptor density is assumed to drive the p-type conductivity conversion of the GaSb substrate beyond the Zn penetration depth. (literal)

Editore

• IEEE Computational Intelligence Society (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)
• MICHELE BALDINI (Unità di personale esterno)
• ENOS GOMBIA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Electrical characterization of GaSb buried p-n junctions" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ENOS GOMBIA (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• MICHELE BALDINI (Unità di personale esterno)

Editore di

• IEEE Computational Intelligence Society (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Electrical characterization of GaSb buried p-n junctions" (Insieme di parole chiave)