Statistical Analysis of Dark Current in Silicon Photomultipliers (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Statistical Analysis of Dark Current in Silicon Photomultipliers (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Giuseppina Valvo, Alfio Russo, Delfo Sanfilippo, Giovanni Condorelli, Clarice Di Martino, Beatrice Carbone, PierGiorgio Fallica, Roberto Pagano, Sebania Libertino, Salvatore Lombardo (2011)
  Statistical Analysis of Dark Current in Silicon Photomultipliers
  in The Second International Conference on Sensor Device Technologies and Applications SENSORDEVICES 2011, Nice/Saint Laurent du Var, France, August 21-27, 2011
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Giuseppina Valvo, Alfio Russo, Delfo Sanfilippo, Giovanni Condorelli, Clarice Di Martino, Beatrice Carbone, PierGiorgio Fallica, Roberto Pagano, Sebania Libertino, Salvatore Lombardo (literal)

Pagina inizio

• 109 (literal)

Pagina fine

• 112 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• IEEE Sensors 2011: The Second International Conference on Sensor Device Technologies and Applications (literal)

Rivista

• Proceedings of the IEEE (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMS-R&D STMicroelectronics, stradale Primosole, 50, 95121 Catania, ITALY; CNR-IMM, Ottava Strada Zona Industriale, 5, 95121 Catania, ITALY (literal)

Titolo

• Statistical Analysis of Dark Current in Silicon Photomultipliers (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-1-61208-145-8 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume

• AA.VV. (literal)

Abstract

• The aim of this paper is to investigate on a statistical basis at the wafer level the relationship existing among the dark currents of the single pixel compared to the whole Silicon Photomultiplier array. This is the first time to our knowledge that such a comparison is made, crucial to pass this new technology to the semiconductor manufacturing standards. In particular, emission microscopy measurements and current measurements allowed us to conclude that optical trenches strongly improve the device performances. (literal)

Prodotto di

• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Statistical Analysis of Dark Current in Silicon Photomultipliers" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Proceedings of the IEEE (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Statistical Analysis of Dark Current in Silicon Photomultipliers" (Insieme di parole chiave)