XPS and AFM microstructural study on Ge/Si (100) (2x1) grown by UHV-CVD (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• XPS and AFM microstructural study on Ge/Si (100) (2x1) grown by UHV-CVD (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 1996-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• G. Padeletti, G.M. Ingo, R. larciprete, P.Willmott, S. Martelli, E. Borsella (1996)
  XPS and AFM microstructural study on Ge/Si (100) (2x1) grown by UHV-CVD
  in ECASIA 95, 6TH European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, Montreaux, Switzerland, 9-13 October 1995
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G. Padeletti, G.M. Ingo, R. larciprete, P.Willmott, S. Martelli, E. Borsella (literal)

Pagina inizio

• 395 (literal)

Pagina fine

• 398 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• ECASIA 1995 - Proceedings of the 6th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (literal)

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• Volume unico (literal)

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• Volume unico (literal)

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• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• G. Padeletti [1] , G.M. Ingo [1] , R. Larciprete [2], P.Willmott [3], S. Martelli [2], E. Borsella [2] [1] Istituto di Chimica dei Materiali-CNR, Area della Ricerca di Roma 1, via Salaria Km 29.3, 00015 Monterotondo, Rome, Italy [2] ENEA, Dipartimento Innovazione, Divisione Fisica Applicata, Centro Ricerche Frascati C.P. 65, 00044 Frascati, Rome, Italy [3] Phys. Chem. Institut Universität Zürich, Winterthurerstrasse 190, 8057 Zürich, Switzerland (literal)

Titolo

• XPS and AFM microstructural study on Ge/Si (100) (2x1) grown by UHV-CVD (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 0-471-95899-9 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume

• Vari (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• H.J. Mathieu, B. Reihl, D. Briggs (literal)

Abstract

• Ge/Si and GexSi1-x heteroepitaxy is currently drawing a large scientific and technological attention due to its potential use in the design of new electrical and optoelettronical devices arising form the succesful integration of these syructures in the Si-based IC technology. Ge films grown on Si (100) (2x1) by UHV-CVD were analysed by means of AFM, XPS and RBS. The morphological variation obesrved in the samples deposited at different Ts in the range 325°C-450°C can be related to the variation of Ge mobility and H desorption rate governed by the substrate temperature. (literal)

Editore

• John Wiley & Sons, Ltd., Chichester (Regno Unito) (Editore)

Prodotto di

• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR

• GIUSEPPINA PADELETTI (Persona)
• GABRIEL MARIA INGO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "XPS and AFM microstructural study on Ge/Si (100) (2x1) grown by UHV-CVD" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)

Autore CNR di

• GIUSEPPINA PADELETTI (Persona)
• GABRIEL MARIA INGO (Unità di personale interno)

Editore di

• John Wiley & Sons, Ltd., Chichester (Regno Unito) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "XPS and AFM microstructural study on Ge/Si (100) (2x1) grown by UHV-CVD" (Insieme di parole chiave)