Thermal decapping of As-capped GaAs (100) surfaces: a scanning probe microscopy study (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • Thermal decapping of As-capped GaAs (100) surfaces: a scanning probe microscopy study (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 1996-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • G. Scavia, G. Padeletti, G.M. Ingo, L. Sorba (1996)
    Thermal decapping of As-capped GaAs (100) surfaces: a scanning probe microscopy study
    in ECASIA 95, 6TH European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, Montreaux, Switzerland, 9-13 October 1995
    (literal)
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  • G. Scavia, G. Padeletti, G.M. Ingo, L. Sorba (literal)
Pagina inizio
  • 399 (literal)
Pagina fine
  • 402 (literal)
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  • ECASIA 1995 - Proceedings of the European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (literal)
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  • Volume unico (literal)
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  • Volume unico (literal)
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  • 4 (literal)
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  • G. Scavia, G. Padeletti, G.M. ingo, L. Sorba Istituto di Chimica dei Materiali-CNR, Area della Ricerca di Roma 1, via Salaria Km 29.3, 00015 Monterotondo, Rome, Italy (literal)
Titolo
  • Thermal decapping of As-capped GaAs (100) surfaces: a scanning probe microscopy study (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
  • 0-471-95899-9 (literal)
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  • Vari (literal)
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  • H.J. Mathieu, B. Reihl, D. Briggs (literal)
Abstract
  • As capping represents one of the most important ways of protecting the GaAs (100) surface from air oxidation during the transfer from the MBE chamber to another UHV system not directly coonected with it. The paper describes the most relevant results achied by scanning probe microscopy on GaAs surfaces after thermal decapping of As-capped GaAs (100) surfaces. (literal)
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