Advances in SAW-based gas sensors (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Advances in SAW-based gas sensors (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 1997-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1088/0964-1726/6/6/005 (literal)
Alternative label
  • Caliendo, C *; Verardi, P*; Verona, E*; D'Amico, A **; Di Natale, C**; Saggio, G**; Serafini, M** ; Paolesse, R***; Huq, SE§ (1997)
    Advances in SAW-based gas sensors
    in Smart materials and structures (Print); IOP Publishing Ltd. (Institute of Physics Publishing Ltd), "Bristol ; London" (Regno Unito)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Caliendo, C *; Verardi, P*; Verona, E*; D'Amico, A **; Di Natale, C**; Saggio, G**; Serafini, M** ; Paolesse, R***; Huq, SE§ (literal)
Pagina inizio
  • 689 (literal)
Pagina fine
  • 699 (literal)
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  • ISSN: 09641726 CODEN: SMSTE (literal)
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  • http://iopscience.iop.org/0964-1726/6/6/005/ (literal)
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  • 6 (literal)
Rivista
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  • 11 (literal)
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  • 6 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
  • Scopu (literal)
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  • *CNR, Istituto di Acustica 'O M Corbino', via Cassia No 1216, 00189 Rome, Italy **Dipto. di Ingegneria Elettronica, Univ. di Roma 'Tor Vergata', via della Ricerca Scientifica, 00133 Rome, Italy ***Dipartimento di Chimica, Univ. di Roma 'Tor Vergata', via della Ricerca Scientifica, 00133 Rome, Italy §Central Microstructure Facility, Rutherford Appleton Laboratory, Didcot, Oxfordshire OX11 0QX, United Kingdom (literal)
Titolo
  • Advances in SAW-based gas sensors (literal)
Abstract
  • This paper deals with some advances in surface acoustic wave (SAW) sensor research relating to the use of both a new chemically interactive material (metal porphyrin) and new amplifiers for low-noise SAW oscillators, which are illustrated and discussed in some detail. The trend toward SAW matrixes, implemented on silicon, required for more sensitive chemical image systems, has led to the observation of coupling effects between adjacent SAW oscillators, even if the electronics were not implemented on Si. This effect must be considered at design level in order to achieve a higher resolution value in detecting either single chemical species or chemical images. (literal)
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