Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.569 (literal)

Alternative label

• Eriksson, J; Roccaforte, F; Giannazzo, F; Lo Nigro, R; Moschetti, G; Raineri, V; Lorenzzi, J; Ferro, G (2009)
  Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Eriksson, J; Roccaforte, F; Giannazzo, F; Lo Nigro, R; Moschetti, G; Raineri, V; Lorenzzi, J; Ferro, G (literal)

Pagina inizio

• 569 (literal)

Pagina fine

• 572 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 615-617 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, I-95121 Catania, Italy Univ Catania, Scuola Super, Catania, Italy UCB Lyon 1, CNRS, LMI, UMR 5615, F-69622 Villeurbanne, France (literal)

Titolo

• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (literal)

Abstract

• This paper reports oil the macro- and nanoscale electro-structural evolution, as a function of annealing temperature, of nickel-silicide Ohmic contacts to 3C-SiC, grown on 6H-SiC substrates by a Vapor-Liquid-Solid (VLS) technique. The structural and electrical characterization of the contacts, carried Out by combining different techniques, showed a correlation between the annealing temperature and the electrical characteristics in both the macro- and the nanoscale measurements. Increasing the annealing temperature between 600 and 950 degrees C caused a gradual increase of the uniformity of the nanoscale current-distribution, with all accompanying reduction of the specific contact resistance from 5 x 10(-5) to 8.4 x 10(-6) Omega cm(2). After high temperature annealing (950 degrees C) the structural composition of the contacts stabilized. as only the Ni(2)Si phase was detected. A comparison with previous literature findings suggests a superior crystalline quality of the single domain VLS 3C-SiC layers. (literal)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

Autore CNR

• VITO RAINERI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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