Ab initio study of phase transition and dielectric constants of high-k HfO2 as a function of Ge alloying (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Ab initio study of phase transition and dielectric constants of high-k HfO2 as a function of Ge alloying (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.85.024109 (literal)

Alternative label

• A. Debernardi, (2012)
  Ab initio study of phase transition and dielectric constants of high-k HfO2 as a function of Ge alloying
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Debernardi, (literal)

Pagina inizio

• 024109-1 (literal)

Pagina fine

• 024109-6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 85 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• MDM Laboratory, CNR-IMM, via C. Olivetti 2, IT-20864, Agrate Brianza, Italy (literal)

Titolo

• Ab initio study of phase transition and dielectric constants of high-k HfO2 as a function of Ge alloying (literal)

Prodotto di

• Simulazione e design di nuovi materiali e spettroscopia da principi primi (MD.P05.028.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ALBERTO DEBERNARDI (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Simulazione e design di nuovi materiali e spettroscopia da principi primi (MD.P05.028.002) (Modulo)

Autore CNR di

• ALBERTO DEBERNARDI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)