Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• La Via F., Roccaforte F., Di Franco S., Raineri V., Moscatelli F., Scorzoni A., Cardinali G.C. (2003)
  Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results
  in Materials science forum
  (literal)

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• La Via F., Roccaforte F., Di Franco S., Raineri V., Moscatelli F., Scorzoni A., Cardinali G.C. (literal)

Pagina inizio

• 827 (literal)

Pagina fine

• 830 (literal)

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• 433-436 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

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• CNR-IMM (literal)

Titolo

• Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (literal)

Abstract

• Four different Schottky diode edge terminations have been fabricated on 6H SiC. The metal contact was Ni2Si in all the structures and the epitaxial layer has a carrier concentrations of 3?ó1015cm -3 and a thickness of 4 microns. With these characteristics of the epitaxial layer, the ideal breakdown voltages should be 800 V. In the best structure an edge efficiency of about the 95% has been reached. The comparison between the experimental and the simulated results shows that, when the breakdown is not influenced by defects present in the substrate, a good agreement with the simulation can be reached. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GIAN CARLO CARDINALI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• GIAN CARLO CARDINALI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

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