Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• La Via F., Galvagno G., Firrincieli A., Roccaforte F., Di Franco S., Ruggiero A., Barbera M., Reitano R., Musumeci P., Calcagno L., Foti G., Mauceri M., Leone S., Pistone G., Portuese F., Abbondanza G., Abagnale G., Valente G.L., Crippa D. (2006)
  Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process
  in Materials science forum
  (literal)

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• La Via F., Galvagno G., Firrincieli A., Roccaforte F., Di Franco S., Ruggiero A., Barbera M., Reitano R., Musumeci P., Calcagno L., Foti G., Mauceri M., Leone S., Pistone G., Portuese F., Abbondanza G., Abagnale G., Valente G.L., Crippa D. (literal)

Pagina inizio

• 163 (literal)

Pagina fine

• 166 (literal)

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• 527-529 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

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• CNR-IMM, Dipartimento di Fisica Università di Catania, ETC, LPE (literal)

Titolo

• Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (literal)

Abstract

• The growth rate of 4H-SiC epi layers has been increased by a factor 3 (up to 18OEºm/h) with respect to the standard process with the introduction of HCl in the deposition chamber. The epitaxial layers grown with the addition of HCl have been characterized by electrical, optical and structural characterization methods. An optimized process without the addition of HCl is reported for comparison. The Schottky diodes, manufactured on the epitaxial layer grown with the addition of HCl at 1600 ¬?C, have electrical characteristics comparable with the standard epitaxial process with the advantage of an epitaxial growth rate three times higher. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

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