Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Silicon-Porous Silicon-Silicon (SPS) substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Silicon-Porous Silicon-Silicon (SPS) substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• GD'Arrigo, Severino A., Leone S., Mauceri M., Abbondanza G., Buongiorno C., Terrasi A., La Via F. (2006)
  Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Silicon-Porous Silicon-Silicon (SPS) substrates
  in ECS transactions
  (literal)

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• GD'Arrigo, Severino A., Leone S., Mauceri M., Abbondanza G., Buongiorno C., Terrasi A., La Via F. (literal)

Pagina inizio

• 287 (literal)

Pagina fine

• 298 (literal)

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• 3 (literal)

Rivista

• ECS transactions (Rivista)

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• 5 (literal)

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• CNR-IMM, ETC, Dipartimento di Fisica Università di Catania (literal)

Titolo

• Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Silicon-Porous Silicon-Silicon (SPS) substrates (literal)

Abstract

• This paper presents a new compliance substrate for heteroepitaxial growth of OE<=-SiC on silicon able to partially relax the huge stress caused by both the lattice mismatch and the thermal expansion coefficient difference. We present substrate treatments to achieve the required SPS substrates. The porous region is characterized from a double porosity in order to make easier pores locking up on the surface through the growth of an ultra-thin silicon layer on it by using both APCVD reactor or UHV system (as SSMBE). On such substrates a preliminary study of SiC growth is performed and compared with SiC growth on Si(100) flat substrate. 3C-SiC growth is performed in an horizontal hot-wall CVD reactor by using hydrogen, sylane and ethylene gasses in a low-pressure regime. Moreover, this approach is very interesting in realization of free-standing 3C-SiC wafers disconnected from Si substrates and for thermal stress relief on the substrate only. copyright The Electrochemical Society. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)

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Autore CNR di

• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

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• ECS transactions (Rivista)