SiC-4H epitaxial layer growth using trichlorosilane (TCS) as silicon precursor (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• SiC-4H epitaxial layer growth using trichlorosilane (TCS) as silicon precursor (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Leone S., Mauceri M., Pistone G., Abbondanza G., Portuese F., Abagnale G., Valente G.L., Crippa D., Barbera M., Reitano R., Foti G., La Via F. (2006)
  SiC-4H epitaxial layer growth using trichlorosilane (TCS) as silicon precursor
  in Materials science forum
  (literal)

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• Leone S., Mauceri M., Pistone G., Abbondanza G., Portuese F., Abagnale G., Valente G.L., Crippa D., Barbera M., Reitano R., Foti G., La Via F. (literal)

Pagina inizio

• 179 (literal)

Pagina fine

• 182 (literal)

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• 527-529 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

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• ETC, LPE, Dipartimento di Fisica Università di Catania, CNR-IMM (literal)

Titolo

• SiC-4H epitaxial layer growth using trichlorosilane (TCS) as silicon precursor (literal)

Abstract

• 4H-SiC epitaxial layers have been grown using trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor source together with ethylene as the carbon precursor source. A higher C/Si ratio is necessary compared with the silane/ethylene system. This ratio has to be reduced especially at higher Si/H2 ratio because the step-bunching effect occurs. From the comparison with the process that uses silane as the silicon precursor, a 15% higher growth rate has been found using TCS (trichlorosilane) at the same Si/H2 ratio. Furthermore, in the TCS process, the presence of chlorine, that reduces the possibility of silicon droplet formation, allows to use a high Si/H2 ratio and then to reach high growth rates (16 OEºm/h). The obtained results on the growth rates, the surface roughness and the crystal quality are very promising. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

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