Electroluminescence at 1.54 um in Er-doped Si nanocluster-based devices (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electroluminescence at 1.54 um in Er-doped Si nanocluster-based devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1516235 (literal)

Alternative label

• F. Iacona, D. Pacifici, A. Irrera, M. Miritello, G. Franzò, F. Priolo, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, and P.G. Fallica (2002)
  Electroluminescence at 1.54 um in Er-doped Si nanocluster-based devices
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• F. Iacona, D. Pacifici, A. Irrera, M. Miritello, G. Franzò, F. Priolo, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, and P.G. Fallica (literal)

Pagina inizio

• 3242 (literal)

Pagina fine

• 3244 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 81 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 17 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, Sez Catania, Str Primosole 50, I-95121 Catania, Italy. Univ Catania, INFM, I-95129 Catania, Italy Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95129 Catania, Italy STMicroelect, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Electroluminescence at 1.54 um in Er-doped Si nanocluster-based devices (literal)

Abstract

• The electroluminescence (EL) properties of Er-doped Si nanoclusters (NC) embedded in metal-oxide-semiconductor devices are investigated. Due to the presence of Si NC dispersed in the SiO2 matrix, an efficient carrier injection occurs and Er is excited, producing an intense 1.54 mum room temperature EL. The EL properties as a function of the current density, temperature, and time have been studied in detail. We have also estimated the excitation cross section for Er under electrical pumping, finding a value of similar to1x10(-14) cm(2). This value is two orders of magnitude higher than the effective excitation cross section of Er ions through Si NC under optical pumping. In fact, quantum efficiencies of similar to1% are obtained at room temperature in these devices. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• ALESSIA IRRERA (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• ALESSIA IRRERA (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Applied physics letters (Rivista)