Raman study of bulk mobility in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Raman study of bulk mobility in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.221 (literal)

Alternative label

• Piluso, N., Severino, A., Camarda, M., Canino, A., La Magna, A., La Via, F. (2011)
  Raman study of bulk mobility in 3C-SiC heteroepitaxy
  in Materials science forum
  (literal)

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• Piluso, N., Severino, A., Camarda, M., Canino, A., La Magna, A., La Via, F. (literal)

Pagina inizio

• 221 (literal)

Pagina fine

• 224 (literal)

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• 605 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopus (literal)

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• CNR-IMM (literal)

Titolo

• Raman study of bulk mobility in 3C-SiC heteroepitaxy (literal)

Abstract

• Micro-Raman spectroscopy has been used to study the dependence between the carrier concentration and electrical mobility in n-doped 3C-SiC films grown on (111) and (100) Si oriented substrates. Local stacking variations observed on the (111) 3C-SiC surface lead to a worse crystal morphology compared to (100) 3C-SiC films resulting in a decrease of the average bulk mobility. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

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