Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.711.27 (literal)

Alternative label

• Severino, A., Anzalone, R., Camarda, M., Piluso, N., La Via, F. (2012)
  Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC
  in Materials science forum
  (literal)

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• Severino, A., Anzalone, R., Camarda, M., Piluso, N., La Via, F. (literal)

Pagina inizio

• 27 (literal)

Pagina fine

• 30 (literal)

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• 711 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopus (literal)

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• CNR-IMM (literal)

Titolo

• Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC (literal)

Abstract

• n this work, we focus our attention on the characterization of 3C-SiC films, grown within a CVD reactor, on Si substrates. It will be shown how the growth procedures influence the SiC film structure and quality with the growth rate used during the growth used as example. Evaluation of crystal structure has been conducted by X-Ray Diffraction (XRD), Raman microscopy and Transmission Electron Microscopy (TEM). Overall film quality increases if films are grown under low growth rate conditions, thanks also to an important reduction in the density of micro-twins. The trend of the full widths at half maximum (FWHMs) of SiC rocking curves, considered good 'quality indicator' as their broadenings are affected by crystallographic defects, as a function of 3C-SiC thickness shows a saturated regime for very thick films, due to the saturation of stacking fault density after 50 ?m of growth. This work wants to suggest a reasonable path for the characterization of the material structure that can be useful, anywhere and in any time, to assess if the morphology and microstructure of our films are satisfactory and to drive towards the desired improvement. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

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