Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.711.51 (literal)

Alternative label

• Anzalone, R., D'Arrigo, G., Camarda, M., Piluso, N., Severino, A., La Via, F. (2012)
  Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application
  in Materials science forum
  (literal)

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• Anzalone, R., D'Arrigo, G., Camarda, M., Piluso, N., Severino, A., La Via, F. (literal)

Pagina inizio

• 51 (literal)

Pagina fine

• 54 (literal)

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• 711 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopus (literal)

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• CNR-IMM (literal)

Titolo

• Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application (literal)

Abstract

• SiC is a candidate material for micro-and nano-electromechanical systems (MEMS and NEMS). The hetero-epitaxial growth of 3C-SiC on silicon substrates allows one to overcome the traditional limitations of SiC micro-fabrication, but the high residual stress created during the film growth limits the development of the material for these applications. In this work, in order to evaluate the amount of residual stress released from the epi-film, different micro-machined structures were developed. Through the measurement of natural resonant frequencies and Raman shift analysis, a strong relationship between the mechanical proprieties of the material (Young's modulus) and the film crystal quality (defect density) was observed. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

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• Materials science forum (Rivista)