Optimization of the Sputtering Deposition Parameters of Highly Oriented Piezoelectric AlN films (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Optimization of the Sputtering Deposition Parameters of Highly Oriented Piezoelectric AlN films (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2000-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/ULTSYM.2000.922569 (literal)

Alternative label

• C. CALIENDO *, A. Cimmino *, P. IMPERATORI **, E. VERONA * (2000)
  Optimization of the Sputtering Deposition Parameters of Highly Oriented Piezoelectric AlN films
  in IEEE International Ultrasonics Symposium, Puerto Rico, October 22-25, 2000
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• C. CALIENDO *, A. Cimmino *, P. IMPERATORI **, E. VERONA * (literal)

Pagina inizio

• 345 (literal)

Pagina fine

• 348 (literal)

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• Category number00CH37121; Code 58976 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=922569 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 1 (literal)

Rivista

• Proceedings - IEEE Ultrasonics Symposium (Rivista)

Note

• SCImago (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

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• * Istituto di Acustica \"0.M.Corbino\"- CNR, Via del Fosso del Cavaliere 100,00133 Rome - Italy ** Istituto di Chimica dei Materiali - CNR, Via Salaria km. 29,300, 00016 Monterotondo (Rome) - Italy (literal)

Titolo

• Optimization of the Sputtering Deposition Parameters of Highly Oriented Piezoelectric AlN films (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 0-7803-6365-5 (literal)

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• Ed. Schneider S.C.,Levy M.,McAvoy B.R (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Sponsors: Ultrasonics,Ferroelectrics,Frequency Control Society (literal)

Abstract

• A1N films have been succesfully deposited by reactive sputtering technique on silicon substrates with different interface layers. Uniform, crack free, c-axis oriented, highly adhesive films have been obtained in a thickness range between 1 and 5.6 pm. Measurements of the d33 piezoelectric strain constant have been performed in order to evaluate the piezoelectric characteristics of the films. X-ray diffraction measurements (XRD) have been performed to investigate the crystal structure and the crystallographic orientation of the films, in order to optimize the deposition process parameters and to study the influence of the substrate on the AlN polycrystals orientation. (literal)

Editore

• IEEE, 345 E 47TH ST, NY 10017 (Editore)

Prodotto di

• Institute of Acoustics and Sensors \"Orso Mario Corbino\" (IDASC) (Istituto)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)

Autore CNR

• CINZIA CALIENDO (Persona)
• PATRIZIA IMPERATORI (Unità di personale interno)
• ENRICO VERONA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Optimization of the Sputtering Deposition Parameters of Highly Oriented Piezoelectric AlN films" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ENRICO VERONA (Unità di personale interno)
• CINZIA CALIENDO (Persona)
• PATRIZIA IMPERATORI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Institute of Acoustics and Sensors \"Orso Mario Corbino\" (IDASC) (Istituto)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Proceedings - IEEE Ultrasonics Symposium (Rivista)

Editore di

• IEEE, 345 E 47TH ST, NY 10017 (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Optimization of the Sputtering Deposition Parameters of Highly Oriented Piezoelectric AlN films" (Insieme di parole chiave)