SURFACE ACOUSTIC WAVE H2 SENSOR ON SILICON SUBSTRATE (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• SURFACE ACOUSTIC WAVE H2 SENSOR ON SILICON SUBSTRATE (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 1988-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/ULTSYM.1988.49441 (literal)

Alternative label

• C. Caliendo (1), A. D'Amico (2), P. Verardi (1), E. Verona (1) (1988)
  SURFACE ACOUSTIC WAVE H2 SENSOR ON SILICON SUBSTRATE
  in IEEE International Ultrasonics Symposium, Chicago, IL (USA), October 2-5, 1988
  (literal)

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• C. Caliendo (1), A. D'Amico (2), P. Verardi (1), E. Verona (1) (literal)

Pagina inizio

• 569 (literal)

Pagina fine

• 574 (literal)

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• INSPEC Accession Number: 3439392 ISSN: 00905607 CODEN: ULSPD (literal)

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• Ultrasonics Symposium Proceedings (literal)

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• 1 (literal)

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• 1 (literal)

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• 6 (literal)

Note

• Scopu (literal)

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• (1) Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto di Acustica \"0.M.Corbino\" Via Cassia 1216, 1-00189 Roma, Italy (2) Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Universiti di L'Aquila, Italy (literal)

Titolo

• SURFACE ACOUSTIC WAVE H2 SENSOR ON SILICON SUBSTRATE (literal)

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• Editors: McAvoy B.R. (literal)

Abstract

• A surface acoustic wave (SAW) hydrogen sensor implemented on a silicon (Si) substrate is presented.The device is based on the changes produced in the phase velocity of SAWS propagating along a multilayered Pd/ZnO/Si02 /Si structure, by H2 absorption and desorption in the selectively sorbent Pd film. Several devices have been made and tested. The time response and the sensitivity of the devices, upon exposure to different concentration of HZ in N2 are reported for two different values of the thickness of the Pd film. The frequency of operation, the electrical performances of the device as well as the fabrication technology involved have been optimized in view of a future integration of the electroacoustic structure and of the electric signal processing circuitry on the same Si substrate. (literal)

Editore

• IEEE, Institute of electrical and electronics engineers (Editore)

Prodotto di

• Institute of Acoustics and Sensors \"Orso Mario Corbino\" (IDASC) (Istituto)

Autore CNR

• ENRICO VERONA (Unità di personale interno)
• PATRIZIO VERARDI (Persona)
• CINZIA CALIENDO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "SURFACE ACOUSTIC WAVE H2 SENSOR ON SILICON SUBSTRATE" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• ENRICO VERONA (Unità di personale interno)
• CINZIA CALIENDO (Persona)
• PATRIZIO VERARDI (Persona)

Prodotto

• Institute of Acoustics and Sensors \"Orso Mario Corbino\" (IDASC) (Istituto)

Editore di

• IEEE, Institute of electrical and electronics engineers (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "SURFACE ACOUSTIC WAVE H2 SENSOR ON SILICON SUBSTRATE" (Insieme di parole chiave)