Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.393 (literal)

Alternative label

• Nipoti, R ; Nath, A ; Cristiani, S ; Sanmartin, M; Rao, MV (2011)
  Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC
  in 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sundvolden Conf Ctr, Oslo, NORWAY, AUG 29-SEP 02, 2010
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Nipoti, R ; Nath, A ; Cristiani, S ; Sanmartin, M; Rao, MV (literal)

Pagina inizio

• 393 (literal)

Pagina fine

• 396 (literal)

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• http://www.scientific.net/MSF.679-680.393 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Siicon Carbide 2010 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 679-680 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM og Bologna, Bologna, Italy GMU University, Fairfax, VA, USA (literal)

Titolo

• Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume

• 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Monakhov, EV; Hornos, T; Svensson, BG (literal)

Abstract

• An inductively heated furnace and an ultra-fast microwave heating system have been used for performing post implantation annealing processes of P(+) implanted semi-insulating < 0001 > 4H-SiC at 1800-1950 degrees C for 5 min and 2000-2050 degrees C for 30 s, respectively. Very high P(+) implantation fluences in the range 7x10(19) - 8x10(2) cm(-3) have been studied. The annealing processes in the inductive furnace and the one at the lower temperature in the microwave furnace show a saturation in the efficiency of the electrical activation of the implanted P(+) that is bypassed by the microwave annealing process at the higher temperature. The measured electron mobility values versus electron density are elevated in all the studied samples and for every post implantation annealing process. This has been ascribed to an elevated implanted crystal recovery due to the very high annealing temperatures >= 1800 degrees C. (literal)

Editore

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Editore di

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)