Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.413 (literal)

Alternative label

• A. Frazzetto, F. Roccaforte, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, C. Bongiorno, S. Di Franco,M. H. Weng, M. Saggio, E. Zanetti, V. Raineri (2011)
  Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Frazzetto, F. Roccaforte, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, C. Bongiorno, S. Di Franco,M. H. Weng, M. Saggio, E. Zanetti, V. Raineri (literal)

Pagina inizio

• 413 (literal)

Pagina fine

• 416 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Istituto per la microelettronica e Microsistemi , CNR St Microelectronics (literal)

Titolo

• Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC (literal)

Abstract

• This paper reports on the impact of the surface morphology on the properties of Ti/Al Ohmic contacts fabricated on AI-implanted 4H-SiC. In particular, the surface roughness of the Al-implanted regions after annealing at 1700 degrees C was strongly reduced by the using a protective carbon capping layer during annealing (the surface roughness decreased from 9.0 nm to 1.3 nm). In this way, also the morphology and the specific contact resistance of Ti/Al Ohmic contacts formed on the implanted regions could be improved. The electrical and morphological data were correlated with the structural properties of the reacted metal layer and of the metal/SiC interfacial region. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)