A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.3762/bjnano.4.26 (literal)

Alternative label

• P. Fiorenza, F. Giannazzo, L. K. Swanson, A. Frazzetto, S. Lorenti, M. S. Alessandrino, F. Roccaforte (2013)
  A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments
  in Beilstein journal of nanotechnology
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• P. Fiorenza, F. Giannazzo, L. K. Swanson, A. Frazzetto, S. Lorenti, M. S. Alessandrino, F. Roccaforte (literal)

Pagina inizio

• 249 (literal)

Pagina fine

• 254 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 4 (literal)

Rivista

• Beilstein journal of nanotechnology (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, Catania, Italy STMicroelectronics, Catania, Italy (literal)

Titolo

• A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Beilstein journal of nanotechnology (Rivista)