Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Raineri, V., Calcagno, L., Giannazzo, F., Goghero, D., Musumeci, F., Roccaforte, F., La Via, F. (2002)
  Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Raineri, V., Calcagno, L., Giannazzo, F., Goghero, D., Musumeci, F., Roccaforte, F., La Via, F. (literal)

Pagina inizio

• 375 (literal)

Pagina fine

• 378 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 433-4 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR, IMM, Sez Catania, IT-95121 Catania, Italy Dipartimento Fis & Astron, IT-95100 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (literal)

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• Bergman, P; Janzen, E (literal)

Abstract

• Scanning Capacitance Microscopy has been used to determine the carrier concentration profiles of N implanted 6H-SiC samples. The implantation dose and target temperature was chosen to avoid the formation of extended defects after annealing. Thermal treatments were performed directly in a conventional furnace with a low ramp rate (0.05degreesC/s) and with a high ramp rate (200 degreesC/s). When performing high ramp rate thermal processes before the conventional furnace a higher activation occurs. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy" (Insieme di parole chiave)