Contact effects in high performance fully printed p-channel organic thin film transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Contact effects in high performance fully printed p-channel organic thin film transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3669701 (literal)

Alternative label

• A. Valletta, A. Daami, M. Benwadih, R. Coppard, G. Fortunato, M. Rapisarda, F. Torricelli, and L. Mariucci (2011)
  Contact effects in high performance fully printed p-channel organic thin film transistors
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Valletta, A. Daami, M. Benwadih, R. Coppard, G. Fortunato, M. Rapisarda, F. Torricelli, and L. Mariucci (literal)

Pagina inizio

• 233309-1 (literal)

Pagina fine

• 233309-4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 99 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM; CEA/LITEN/LCI; Eindhoven University of Technology (literal)

Titolo

• Contact effects in high performance fully printed p-channel organic thin film transistors (literal)

Abstract

• Contact effects have been investigated in fully printed p-channel organic thin film transistors with field effect mobility up to 2 cm2/Vs. Electrical characteristics of the organic thin film transistors, with channel length <200 lm, are seriously influenced by contact effects with an anomalous increase of the contact resistance for increasing source-drain voltage. Assuming that contact effects are negligible in long channel transistors and using gradual channel approximation, we evaluated the current-voltage characteristics of the injection contact, showing that I-V characteristics can be modeled as a reverse biased Schottky diode, including barrier lowering induced by the Schottky effect. (literal)

Prodotto di

• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• Matteo RAPISARDA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)

Autore CNR di

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• Matteo RAPISARDA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)