Edge Effects in Self-Heating-Related Instabilities in p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Edge Effects in Self-Heating-Related Instabilities in p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• L. Mariucci, P. Gaucci, A. Valletta, A. Pecora, L. Maiolo, M. Cuscunà, and G. Fortunato (2011)
  Edge Effects in Self-Heating-Related Instabilities in p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors
  in IEEE electron device letters (Print)
  (literal)

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• L. Mariucci, P. Gaucci, A. Valletta, A. Pecora, L. Maiolo, M. Cuscunà, and G. Fortunato (literal)

Pagina inizio

• 1707 (literal)

Pagina fine

• 1709 (literal)

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• 32 (literal)

Rivista

• IEEE electron device letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 12 (literal)

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• IMM-CNR (literal)

Titolo

• Edge Effects in Self-Heating-Related Instabilities in p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors (literal)

Abstract

• Self-heating-related instabilities have been investigated in p-channel polycrystalline-silicon thin-film transistor, showing an anomalous transconductance (gm) increase. The gm increase is a fingerprint of edge effects, resulting from a buildup of positive trapped charge in the gate oxide at the channel edges. This was confirmed by the annihilation of such positive charges obtained by sequential hot-carrier bias-stress experiments. From the analysis of the edge effects in devices with different channel lengths, we were able, using 2-D numerical simulations, to determine the size of the defected edge regions to be 400 nm. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Edge Effects in Self-Heating-Related Instabilities in p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale esterno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• IEEE electron device letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Edge Effects in Self-Heating-Related Instabilities in p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors" (Insieme di parole chiave)