Transfer characteristics and contact resistance in Ni- and Ti-contacted graphene-based field-effect transistors (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Transfer characteristics and contact resistance in Ni- and Ti-contacted graphene-based field-effect transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1088/0953-8984/25/15/155303 (literal)

Alternative label

• A Di Bartolomeo1, F Giubileo1,2, L Iemmo1, F Romeo1,2, S Santandrea1 and U Gambardella2 (2013)
  Transfer characteristics and contact resistance in Ni- and Ti-contacted graphene-based field-effect transistors
  in Journal of physics. Condensed matter (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A Di Bartolomeo1, F Giubileo1,2, L Iemmo1, F Romeo1,2, S Santandrea1 and U Gambardella2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 25 (literal)

Rivista

• Journal of physics. Condensed matter (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 Dipartimento di Fisica 'E R Caianiello' and Centro Interdipartimentale NANO_MATES, Università degli Studi di Salerno, via Ponte don Melillo, I-84084, Fisciano (Sa), Italy 2 CNR-SPIN Salerno, c/o Dipartimento di Fisica, Università degli Studi di Salerno, via Ponte don Melillo, I-84084, Fisciano (Sa), (literal)

Titolo

• Transfer characteristics and contact resistance in Ni- and Ti-contacted graphene-based field-effect transistors (literal)

Abstract

• We produced graphene-based field-effect transistors by contacting mono- and bi-layer graphene by sputtering Ni or Ti as metal electrodes. We performed electrical characterization of the devices by measuring their transfer and output characteristics. We clearly observed the presence of a double-dip feature in the conductance curve for Ni-contacted transistors, and we explain it in terms of charge transfer and graphene doping under the metal contacts. We also studied the contact resistance between the graphene and the metal electrodes with larger values of ?30 k??m2 recorded for Ti contacts. Importantly, we prove that the contact resistance is modulated by the back-gate voltage. (literal)

Prodotto di

• Materiali e dispositivi superconduttori e ibridi (MD.P04.024.002) (Modulo)
• Proprietà statiche e dinamiche in superconduttori del II tipo, e loro funzionalità nelle applicazioni per l'energia (MD.P04.023.002) (Modulo)

Autore CNR

• UMBERTO GAMBARDELLA (Persona)
• FILIPPO GIUBILEO (Unità di personale interno)

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Autore CNR di

• FILIPPO GIUBILEO (Unità di personale interno)
• UMBERTO GAMBARDELLA (Persona)

Prodotto

• Proprietà statiche e dinamiche in superconduttori del II tipo, e loro funzionalità nelle applicazioni per l'energia (MD.P04.023.002) (Modulo)
• Materiali e dispositivi superconduttori e ibridi (MD.P04.024.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of physics. Condensed matter (Rivista)