Reduction of Short Channel Effects and Hot Carrier Induced Instability in Fully Self-Aligned Gate Overlapped Lightly Doped Drain Polysilicon TFTs (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Reduction of Short Channel Effects and Hot Carrier Induced Instability in Fully Self-Aligned Gate Overlapped Lightly Doped Drain Polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/JDT.2011.2162057 (literal)

Alternative label

• Valletta A, Maiolo L, Mariucci L, Pecora A, Rapisarda M, Fortunato G, Brotherton SD (2012)
  Reduction of Short Channel Effects and Hot Carrier Induced Instability in Fully Self-Aligned Gate Overlapped Lightly Doped Drain Polysilicon TFTs
  in Journal of display technology
  (literal)

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• Valletta A, Maiolo L, Mariucci L, Pecora A, Rapisarda M, Fortunato G, Brotherton SD (literal)

Pagina inizio

• 18 (literal)

Pagina fine

• 22 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6012489 (literal)

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• 8 (literal)

Rivista

• Journal of display technology (Rivista)

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• 5 (literal)

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• 1 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• [ 1 ] CNR IMM, I-00133 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Reduction of Short Channel Effects and Hot Carrier Induced Instability in Fully Self-Aligned Gate Overlapped Lightly Doped Drain Polysilicon TFTs (literal)

Abstract

• Electrical characteristics of fully self-aligned gate overlapped lightly doped drain (FSA-GOLDD) polysilicon thin-film transistors (TFTs), fabricated with a spacer technology and providing submicron (0.35 m) LDD regions, have been analyzed. Device characteristics show negligible series resistance of the LDD region while effective drain field relief has been demonstrated by a reduced kink effect and off-current, if compared to conventional self-aligned (SA) devices. Short channel effects are also mitigated by the LDD region, while substantial reduction in the hot-carrier induced instability is found, when compared with conventional SA devices. (literal)

Prodotto di

• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)

Autore CNR

• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• Matteo RAPISARDA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Reduction of Short Channel Effects and Hot Carrier Induced Instability in Fully Self-Aligned Gate Overlapped Lightly Doped Drain Polysilicon TFTs" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• Matteo RAPISARDA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)

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• Journal of display technology (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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