Quantum transport modeling of defected graphene nanoribbons (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Quantum transport modeling of defected graphene nanoribbons (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.physe.2010.06.024 (literal)

Alternative label

• Deretzis I, Fiori G, Iannaccone G, Piccitto G, La Magna A (2012)
  Quantum transport modeling of defected graphene nanoribbons
  in Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Deretzis I, Fiori G, Iannaccone G, Piccitto G, La Magna A (literal)

Pagina inizio

• 981 (literal)

Pagina fine

• 984 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947710003590 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 44 (literal)

Rivista

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Ist Microelettr & Microsistemi CNR IMM, I-95121 Catania, Italy [ 2 ] Univ Catania, Scuola Super, I-95123 Catania, Italy [ 3 ] Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy [ 4 ] Dipartimento Ingn Informaz, I-56122 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• Quantum transport modeling of defected graphene nanoribbons (literal)

Abstract

• We study backscattering phenomena during conduction for graphene nanoribbons of mu m lengths, from single vacancy scatterers up to finite defect concentrations. Using ab initio calibrated Hamiltonian models we highlight the importance of confinement and geometry on the shaping of the local density of states around the defects that can lead to important alterations on the transport process, giving rise to impuritylike conduction gaps in the conductance distribution. Within a statistical analysis of finite defect concentration we show that conductance degradation can become very important. (literal)

Prodotto di

• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati a base di Carbonio (MD.P05.005.005) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)

Autore CNR

• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Quantum transport modeling of defected graphene nanoribbons" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati a base di Carbonio (MD.P05.005.005) (Modulo)

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• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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