K-band capacitive MEMS switches on GaAs substrate: Design, fabrication, and reliability (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• K-band capacitive MEMS switches on GaAs substrate: Design, fabrication, and reliability (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.microrel.2012.06.008 (literal)

Alternative label

• Persano A, Tazzoli A, Farinelli P, Meneghesso G, Siciliano P, Quaranta F (2012)
  K-band capacitive MEMS switches on GaAs substrate: Design, fabrication, and reliability
  in Microelectronics and reliability
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Persano A, Tazzoli A, Farinelli P, Meneghesso G, Siciliano P, Quaranta F (literal)

Pagina inizio

• 2245 (literal)

Pagina fine

• 2249 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271412001928# (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 52 (literal)

Rivista

• Microelectronics and reliability (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 9-10 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Univ Lecce, Inst Microelect & Microsyst IMM CNR, I-73100 Lecce, Italy [ 2 ] Univ Padua, Dept Informat Engn, I-35131 Padua, Italy [ 3 ] Carnegie Mellon Univ, Dept Elect & Comp Engn, Pittsburgh, PA 15213 USA [ 4 ] Univ Perugia, Dept Elect & Informat Engn, I-06125 Perugia, Italy [ 5 ] Italian Univ Nanoelect Team IUNET, I-40125 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• K-band capacitive MEMS switches on GaAs substrate: Design, fabrication, and reliability (literal)

Abstract

• Shunt capacitive RF MEMS switches were developed on GaAs substrate, using a III-V technology process that is fully compatible with standard MMIC fabrication. The switches show an insertion loss lower than 0.8 dB and isolation better than 30 dB with resonance frequencies in K-band, according to the switch geometric parameters. Reliability limits due to dielectric charging were overcome by applying suitable fast bipolar actuation waveforms, making the developed switches good candidates for both redundancy (always on/off) and cycled applications. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sensori e Microsistemi Intelligenti per la Sicurezza e la Qualità della vita nei settori Agroalimentare, Trasporti ed \"Ambient Assisted Living\" (MD.P05.010.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)
• PIETRO ALEARDO SICILIANO (Unità di personale interno)
• FABIO QUARANTA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "K-band capacitive MEMS switches on GaAs substrate: Design, fabrication, and reliability" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sensori e Microsistemi Intelligenti per la Sicurezza e la Qualità della vita nei settori Agroalimentare, Trasporti ed \"Ambient Assisted Living\" (MD.P05.010.001) (Modulo)

Autore CNR di

• PIETRO ALEARDO SICILIANO (Unità di personale interno)
• FABIO QUARANTA (Unità di personale interno)
• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Microelectronics and reliability (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "K-band capacitive MEMS switches on GaAs substrate: Design, fabrication, and reliability" (Insieme di parole chiave)