Vortex motion in Nb/PdNi/Nb trilayers: New aspects in the flux flow state (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Vortex motion in Nb/PdNi/Nb trilayers: New aspects in the flux flow state (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • K. Torokhtii a, C. Attanasio b, C. Cirillo b, E.A. Ilyina b, N. Pompeo a, S. Sartic, E. Silva a (2012)
    Vortex motion in Nb/PdNi/Nb trilayers: New aspects in the flux flow state
    in Physica. C, Superconductivity (Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • K. Torokhtii a, C. Attanasio b, C. Cirillo b, E.A. Ilyina b, N. Pompeo a, S. Sartic, E. Silva a (literal)
Pagina inizio
  • 140 (literal)
Pagina fine
  • 142 (literal)
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  • http://dx.doi.org/10.1016/j.physc.2011.12.011 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 479 (literal)
Rivista
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  • 3 (literal)
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  • a Dipartimento di Fisica \"E. Amaldi\" and Unità CNISM, Università Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Roma, Italy b CNR-SPIN Salerno and Dipartimento di Fisica \"E.R. Caianiello\", Università degli Studi di Salerno, I-84084 Fisciano, Salerno, Italy c Dipartimento di Fisica, Università \"La Sapienza\", 00185 Roma, Italy (literal)
Titolo
  • Vortex motion in Nb/PdNi/Nb trilayers: New aspects in the flux flow state (literal)
Abstract
  • We study the dynamics of vortex lines in Supercondutor/Ferromagnet/Superconductor (SFS) heterostructures at microwave frequencies. We have employed swept-frequency, Corbino-disk and resonant, dielectric-resonator techniques to obtain the field and temperature dependence of the vortex-state parameters. We concentrate here on the genuine flux-flow resistivity ?ff, that we access at subcritical currents using a sufficiently high driving frequency. We find that ?ff does not follow the well-known Bardeen-Stephen model. Instead, it is well described by a full time-dependent Ginzburg-Landau expression at very thin F layer thickness, but changes to a previously unreported field-dependence when the F layer exceeds a few nm. (literal)
Prodotto di
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