Electronic properties of tetrakis(pentafluorophenyl)porphyrin (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Electronic properties of tetrakis(pentafluorophenyl)porphyrin (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1039/C3NJ40910D (literal)
Alternative label
  • Marco Nardi 1, Roberto Verucchi 1, Lucrezia Aversa 1, Maurizio Casarin 2,3, Andrea Vittadini 2,3, Nicola Mahne 4, Angelo Giglia 4, Stefano Nannarone 4,5 and Salvatore Iannotta 1 (2013)
    Electronic properties of tetrakis(pentafluorophenyl)porphyrin
    in New journal of chemistry (Online); The Royal Society of Chemistry, Cambridge (Regno Unito)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Marco Nardi 1, Roberto Verucchi 1, Lucrezia Aversa 1, Maurizio Casarin 2,3, Andrea Vittadini 2,3, Nicola Mahne 4, Angelo Giglia 4, Stefano Nannarone 4,5 and Salvatore Iannotta 1 (literal)
Pagina inizio
  • 1036 (literal)
Pagina fine
  • 1045 (literal)
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  • http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2013/nj/c3nj40910d#!divAbstract (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 37 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1 Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo, IMEM-CNR, sezione FBK di Trento, Via alla Cascata 56/C - Povo, 38123 Trento, Italy; 2 Dipartimento di Scienze Chimiche, Universita` degli Studi di Padova, Via Marzolo 1, 35131 Padova, Italy; 3 Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari ISTM-CNR, Via Marzolo 1, 35131 Padova, Italy; 4 Istituto Officina dei Materiali IOM-CNR, S.S. 14-Km. 163,5, 34149 Trieste, TS, Italy; 5 Dipartimento di Ingegneria dei Materiali e dell'Ambiente, Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Strada Vignolese, 905, 41125 Modena, Italy (literal)
Titolo
  • Electronic properties of tetrakis(pentafluorophenyl)porphyrin (literal)
Abstract
  • We studied in detail the electronic properties of C44H10F20N4 (tetrakis(pentafluorophenyl)porphyrin, hereafter H2TPP(F)) via a combined study by photoelectron spectroscopy (PES) and density functional (DF) calculations, shedding new light on the role of the halide in this very interesting molecule for organic electronics. Valence and core levels have been investigated by means of PES on H2TPP(F) thin films deposited on the SiO2/Si(100) native oxide surface by supersonic molecular beam deposition (SuMBD). These experiments have been carefully interpreted on the basis of DF results pertaining to the isolated H2TPP(F). Non-relativistic calculations have been run to investigate valence states, whereas a two component relativistic approach within the zeroth-order regular approximation has been adopted to study core levels. The present results, in conjunction with those obtained previously on the H2TPP parent compound [M. Nardi, R. Verucchi, C. Corradi, M. Pola, M. Casarin, A. Vittadini and S. Iannotta, Phys. Chem. Chem. Phys., 2010, 12, 871], pave the way towards designing fully organic p-n junctions by using these macrocycles. (literal)
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