Dark Current in Silicon Photomultiplier Pixels: Data and Model (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Dark Current in Silicon Photomultiplier Pixels: Data and Model (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/TED.2012.2205689 (literal)

Alternative label

• Pagano R, Corso D, Lombardo S, Valvo G, Sanfilippo DN, Fallica G, Libertino S (2012)
  Dark Current in Silicon Photomultiplier Pixels: Data and Model
  in I.E.E.E. transactions on electron devices
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Pagano R, Corso D, Lombardo S, Valvo G, Sanfilippo DN, Fallica G, Libertino S (literal)

Pagina inizio

• 2410 (literal)

Pagina fine

• 2416 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6262467 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 59 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 9 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] CNR, Ist Microelettron & Microsistemi, I-95121 Catania, Italy [ 2 ] STMicroelectronics, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Dark Current in Silicon Photomultiplier Pixels: Data and Model (literal)

Abstract

• The dark current behavior of the pixels forming the Si photomultiplier as a function of the applied overvoltage and operation temperature is studied. The data are modeled by assuming that dark current is caused by current pulses triggered by events of diffusion of single minority carriers injected from the peripheral boundaries of the active area depletion layer and by thermal emission of carriers from Shockley-Read-Hall defects in the active area depletion layer. (literal)

Prodotto di

• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)
• Nuovi Dispositivi di Silicio Oltre il CMOS Scaling (MD.P05.023.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• DOMENICO CORSO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Dark Current in Silicon Photomultiplier Pixels: Data and Model" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• ROBERTO PAGANO (Unità di personale esterno)
• DOMENICO CORSO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi Dispositivi di Silicio Oltre il CMOS Scaling (MD.P05.023.001) (Modulo)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Dark Current in Silicon Photomultiplier Pixels: Data and Model" (Insieme di parole chiave)