Crystal recovery from Al-implantation induced damaging in 3C-SiC films (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Crystal recovery from Al-implantation induced damaging in 3C-SiC films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/pssr.201206064 (literal)

Alternative label

• Severino A, Piluso N, Marino A, La Via F (2012)
  Crystal recovery from Al-implantation induced damaging in 3C-SiC films
  in Physica status solidi. Rapid research letters (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Severino A, Piluso N, Marino A, La Via F (literal)

Pagina inizio

• 226 (literal)

Pagina fine

• 228 (literal)

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• http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.201206064/abstract;jsessionid=11AB739612433AF63853B11DFD07BFEA.d02t04 (literal)

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• 6 (literal)

Rivista

• Physica status solidi. Rapid research letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• [ 1 ] ETC Srl, Epitaxial Technol Ctr, I-95121 Catania, Italy [ 2 ] CNR IMM, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Crystal recovery from Al-implantation induced damaging in 3C-SiC films (literal)

Abstract

• Damaging in Al-implanted 3C-SiC and subsequent crystal recovery due to thermal treatments up to 1350 degrees C are evaluated by X-ray diffraction and micro-Raman spectroscopy. Reciprocal space mapping of (004) 3C-SiC planes shows a low-intensity implantation-induced secondary peak at higher interplanar spacing in the as-implanted 3C-SiC sample, with a generated misfit between the implanted and the epitaxial region of about 0.6%. Increasing the annealing temperature from 950 degrees C to 1350 angstrom C, the secondary peak is gradually re-absorbed within the epitaxial 3C-SiC reciprocal lattice point. Finally, the disappearance of the secondary peak after a 1350 degrees C thermal treatment is observed. Thus, implantation-induced average strain, resulting in a severe 3C-SiC deforma- tion, has been totally relieved at the highest annealing temperature. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• Andrea Severino (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Crystal recovery from Al-implantation induced damaging in 3C-SiC films" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)

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• Physica status solidi. Rapid research letters (Rivista)

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