Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.4028/www.scientific.net/MSF.711.31 (literal)

Alternative label

• Severino A, Camarda M, La Magna A, La Via F (2012)
  Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates
  in Materials science forum
  (literal)

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• Severino A, Camarda M, La Magna A, La Via F (literal)

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• 31 (literal)

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• 34 (literal)

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• http://www.scientific.net/MSF.711.31 (literal)

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• 711 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

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• 4 (literal)

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• [ 1 ] Ist Microelettron & Microsistemi CNR IMM, Consiglio Nazl Ric, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates (literal)

Abstract

• 3C-SiC lattice parameters, both in-plane and out-of-plane, have been studied as a function of the temperature (up to 773 K) by performing X-Ray Diffraction (XRD) measurements in coplanar and non-coplanar geometry during the thermal treatments. A tetragonal distortion of the 3C-SiC cell has been observed, with a=b not equal c, resulting from a tensile stress status induced by the presence of Si substrate. A linear expansion coefficient of about 4.404 x 10(-6) K-1 at 773 K has been obtained for a 15 mu m thick 3C-SiC film grown on (100) Si substrate. The discrepancy with the value reported in literature of 5.05 x 10(-6) K-1 at 800 K [Slack et al., Journal of Applied Physics 46, 89 (1975)] may be related to the different nature of samples used. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati a base di Carbonio (MD.P05.005.005) (Modulo)

Autore CNR

• Andrea Severino (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati a base di Carbonio (MD.P05.005.005) (Modulo)

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