Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4721433 (literal)

Alternative label

• Mazzeo G, Prati E, Belli M, Leti G, Cocco S, Fanciulli M, Guagliardo F, Ferrari G (2012)
  Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mazzeo G, Prati E, Belli M, Leti G, Cocco S, Fanciulli M, Guagliardo F, Ferrari G (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i21/p213107_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 21 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, I-20125 Milan, Italy [ 2 ] IMM CNR, Lab MDM, I-20864 Agrate Brianza, Italy [ 3 ] Politecn Milan, Dipartimento Elettron & Informaz, I-20133 Milan, Italy (literal)

Titolo

• Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon (literal)

Abstract

• We report on the charge transfer dynamics between a silicon quantum dot and an individual phosphorous donor extracted from the current through the quantum dot as a probe for the donor ionization state. We employ a silicon n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with two side gates at a single metallization level to control both the device conductance and the donor charge. The elastic nature of the process is demonstrated by temperature and magnetic field independent tunneling times. The Fano factor approaches 1/2 revealing that the process is sub-poissonian. (literal)

Prodotto di

• Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001) (Modulo)
• Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta (MD.P06.036.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001) (Modulo)

Autore CNR

• Giorgio Ferrari (Persona)
• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• Filippo Guagliardo (Persona)
• MATTEO BELLI (Persona)
• ENRICO PRATI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001) (Modulo)
• Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001) (Modulo)
• Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta (MD.P06.036.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• ENRICO PRATI (Persona)
• MATTEO BELLI (Persona)
• Giorgio Ferrari (Persona)
• Filippo Guagliardo (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon" (Insieme di parole chiave)