Silicon nanowires fabricated by means of an underetching technique (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Silicon nanowires fabricated by means of an underetching technique (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.mee.2004.12.044 (literal)

Alternative label

• S. Ciucci; F. D’Angelo; A. Diligenti; B. Pellegrini; G. Pennelli; M. Piotto (2005)
  Silicon nanowires fabricated by means of an underetching technique
  in Microelectronic engineering; North Holland Pub. Co., Amsterdam (Paesi Bassi)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• S. Ciucci; F. D’Angelo; A. Diligenti; B. Pellegrini; G. Pennelli; M. Piotto (literal)

Pagina inizio

• 338 (literal)

Pagina fine

• 342 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 78-79 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Dipartimento di Ingegneria dell?Informazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell?Informazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell?Informazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell?Informazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell?Informazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT - Sezione di Pisa, CNR, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• Silicon nanowires fabricated by means of an underetching technique (literal)

Abstract

• Silicon wires with nanometric dimensions have been fabricated on SIMOX wafers by means of e-beam lithography and wet chemical etchings, exploiting the underetching properties of the KOH etchant. The cross section of the resistors has a trapezoidal shape; a minimum top width of 40 nm has been obtained. The whole process required only two writing steps. I-V characteristics were measured at room temperature as a function of the backgate voltage. (literal)

Editore

• North Holland Pub. Co. (Editore)

Prodotto di

• Performance Boosters of Wireless Systems based on Micro-Nanotechnology (ICT.P07.003.001) (Modulo)
• Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni (IEIIT) (Istituto)

Autore CNR

• MASSIMO PIOTTO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Silicon nanowires fabricated by means of an underetching technique" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni (IEIIT) (Istituto)
• Performance Boosters of Wireless Systems based on Micro-Nanotechnology (ICT.P07.003.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MASSIMO PIOTTO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Microelectronic engineering (Rivista)

Editore di

• North Holland Pub. Co. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Silicon nanowires fabricated by means of an underetching technique" (Insieme di parole chiave)