Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.tsf.2011.10.197 (literal)

Alternative label

• Cianci E, Lattanzio S, Seguini G, Vassanelli S, Fanciulli M (2012)
  Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Cianci E, Lattanzio S, Seguini G, Vassanelli S, Fanciulli M (literal)

Pagina inizio

• 4745 (literal)

Pagina fine

• 4748 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609011019389 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 520 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 14 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] IMM CNR, Lab MDM, I-20854 Agrate Brianza, MB, Italy [ 2 ] Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, I-20126 Milan, Italy [ 3 ] Univ Padua, Ist Fisiol, Dipartimento Anat Umana & Fisiol, I-35131 Padua, Italy [ 4 ] Univ Padua, Dipartimento Ingn Informaz, I-35131 Padua, Italy (literal)

Titolo

• Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (literal)

Abstract

• In this paper we investigated atomic layer deposition (ALD) TiO2 thin films deposited on implantable neurochips based on electrolyte-oxide-semiconductor (EOS) junctions, implementing both efficient capacitive neuron-silicon coupling and biocompatibility for long-term implantable functionality.The ALD process was performed at 295 degrees C using titanium tetraisopropoxide and ozone as precursors on needle-shaped silicon substrates. Engineering of the capacitance of the EOS junctions introducing a thin Al2O3 buffer layer between TiO2 and silicon resulted in a further increase of the specific capacitance. Biocompatibility for long-term implantable neuroprosthetic systems was checked upon in-vitro treatment. (literal)

Prodotto di

• Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001) (Modulo)
• Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001) (Modulo)
• Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta (MD.P06.036.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)
• ELENA CIANCI (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001) (Modulo)
• Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001) (Modulo)
• Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta (MD.P06.036.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ELENA CIANCI (Persona)
• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices" (Insieme di parole chiave)