A fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• A fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.mee.2006.01.179 (literal)

Alternative label

• G. Pennelli, M. Piotto (2006)
  A fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate
  in Microelectronic engineering; ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G. Pennelli, M. Piotto (literal)

Pagina inizio

• 1559 (literal)

Pagina fine

• 1562 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 83 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 4-9 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT - Pisa, CNR, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• A fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate (literal)

Abstract

• A process for fabricating a device based on tunneling through a very thin vertical silicon membrane is presented. The process has been developed on a ?1 1 0? oriented silicon wafer using high resolution e-beam lithography and KOH anisotropic etching to define the structure. A single evaporation step allows the fabrication of both the source-drain contacts and a control gate self aligned to the top of the silicon membrane. A vertical silicon membrane with a thickness of 15 nm has been obtained. (literal)

Editore

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Prodotto di

• Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni (IEIIT) (Istituto)
• Sistemi e dispositivi per le tecnologie dell'informazione (ICT.P07.001.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO PIOTTO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "A fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni (IEIIT) (Istituto)
• Sistemi e dispositivi per le tecnologie dell'informazione (ICT.P07.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MASSIMO PIOTTO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Microelectronic engineering (Rivista)

Editore di

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "A fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate" (Insieme di parole chiave)