An all optical mapping of the strain field in GaAsN/GaAsN:H wires (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• An all optical mapping of the strain field in GaAsN/GaAsN:H wires (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4766285 (literal)

Alternative label

• Geddo M, Giulotto E, Grandi M S, Patrini M, Trotta R, Polimeni A, Capizzi M, Martelli F, Rubini S (2012)
  An all optical mapping of the strain field in GaAsN/GaAsN:H wires
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Geddo M, Giulotto E, Grandi M S, Patrini M, Trotta R, Polimeni A, Capizzi M, Martelli F, Rubini S (literal)

Pagina inizio

• 191908-1 (literal)

Pagina fine

• 191908-4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000101000019191908000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.4766285&prog=normal (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 101 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 19 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Univ Pavia, CNISM Dipartimento Fis, I-27100 Pavia, Italy [ 2 ] Univ Roma La Sapienza, CNISM Dipartimento Fis, I-00185 Rome, Italy [ 3 ] Johannes Kepler Univ Linz, Inst Semicond & Solid State Phys, A-4040 Linz, Austria [ 4 ] Lab Nazl TASC IOM CNR, I-34012 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• An all optical mapping of the strain field in GaAsN/GaAsN:H wires (literal)

Abstract

• GaAsN/GaAsN:H heterostructures were made by an in-plane selective hydrogen incorporation controlled by H-opaque metallic masks. The strain field and hydrogen distributions in GaAsN micro-sized wires thus obtained have been mapped by an all optical procedure that combines micro-Raman scattering and photoreflectance spectroscopy. The strain field is related to the formation of N-H complexes along the hydrogen diffusion profile with an ensuing expansion of the GaAsN lattice whose patterning generates an anisotropic stress in the sample growth plane. These results highlight a powerful non-invasive tool to simultaneously determine both the H diffusion profile and the related strain field distribution. (literal)

Prodotto di

• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P06.017.002 Sintesi e studio di nanostrutture (MD.P06.017.006) (Modulo)

Autore CNR

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "An all optical mapping of the strain field in GaAsN/GaAsN:H wires" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)
• MD.P06.017.002 Sintesi e studio di nanostrutture (MD.P06.017.006) (Modulo)

Autore CNR di

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "An all optical mapping of the strain field in GaAsN/GaAsN:H wires" (Insieme di parole chiave)