Tetracene thin film transistors with polymer gate dielectrics (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Tetracene thin film transistors with polymer gate dielectrics (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3606535 (literal)

Alternative label

• Bertolazzi, Simone 1, Wunsche, Julia 1, Cicoira, Fabio 2, Santato, Clara 1 (2011)
  Tetracene thin film transistors with polymer gate dielectrics
  in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bertolazzi, Simone 1, Wunsche, Julia 1, Cicoira, Fabio 2, Santato, Clara 1 (literal)

Pagina inizio

• 013301-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-049 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i1/p013301_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 99 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 Département de Génie Physique, École Polytechnique de Montréal, Canada; 2 CNR-IMEM, Parma, Italy (literal)

Titolo

• Tetracene thin film transistors with polymer gate dielectrics (literal)

Abstract

• The use of polymer dielectrics is an important step towards large-area, flexible, and low-cost electronics. In this letter, we study the effect of the polymer dielectrics polystyrene and parylene C on the charge transport properties of tetracene thin films in transistor configuration. By using polymer dielectrics, the tetracene hole mobility increased by more than one order of magnitude, up to 0.2 cm(2) V(-1) s(-1), as compared to bare silicon dioxide. We correlate this result to a favorable morphology of the tetracene films during the early stages of growth. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• FABIO CICOIRA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Tetracene thin film transistors with polymer gate dielectrics" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FABIO CICOIRA (Persona)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Tetracene thin film transistors with polymer gate dielectrics" (Insieme di parole chiave)