Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3567024 (literal)

Alternative label

• E. Giulotto 1,? M. Geddo 1, M. S. Grandi 1,? G. Guizzetti 1, G. Trevisi 2, L. Seravalli 2, P. Frigeri 2 and S. Franchi 2 (2011)
  Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures
  in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• E. Giulotto 1,? M. Geddo 1, M. S. Grandi 1,? G. Guizzetti 1, G. Trevisi 2, L. Seravalli 2, P. Frigeri 2 and S. Franchi 2 (literal)

Pagina inizio

• 111903-1 (literal)

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• ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-036 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i11/p111903_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 98 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 11 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Univ Pavia, Dipartimento Fis A Volta, I-27100 Pavia, Italy; [ 2 ] CNR IMEM Inst, I-43100 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures (literal)

Abstract

• We report on Raman scattering experiments on InAs/Al(x)Ga(1-x)As quantum dot heterostructures with 0 <= x <= 0.6. The samples were prepared by using molecular beam epitaxy (MBE) and atomic layer MBE for the growth of different layers. For x > 0, we detected several lines originating from the Al(x)Ga(1-x)As alloy. These can be related to scattering from GaAs-like and AlAs-like phonons with q congruent to 0, and weaker scattering from disorder-activated phonons with q not equal 0. In particular, we identified a line at similar to 250 cm(-1) as due to disorder-activated longitudinal optical phonons in the alloy. This conclusion is different than the attribution of this line to scattering from dots and, consequently, we do not recognize the possibility of deriving any information about the actual composition of the dots from an analysis of this line as proposed by other authors. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

Autore CNR

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

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• Applied physics letters (Rivista)

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• Parole chiave di "Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures" (Insieme di parole chiave)