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Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/S0167-9317(03)00129-1 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- A. Diligenti; M. Macucci; B. Pellegrini; M. Piotto (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Note
- Scopu (literal)
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy
Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy
Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy
Istituto di Elettronica e di Ingegneria dell' Informazione e delle Telecomunicazioni, CNR, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy (literal)
- Titolo
- Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires (literal)
- Abstract
- Highly doped suspended silicon wires are fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) wafer. The fabrication is based on a three-mask process which uses only standard photolithography, wet etching, and thermal treatments. The starting material was highly doped by means of the spin-on-dopant technique and wires with dimensions in the nanometer range were obtained. Preliminary results about two-probe measurements of the I-V characteristics and a noise analysis of undamaged and damaged wires are presented and discussed. (literal)
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