Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0167-9317(03)00129-1 (literal)
Alternative label
  • A. Diligenti; M. Macucci; B. Pellegrini; M. Piotto (2003)
    Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires
    in Microelectronic engineering; North Holland Pub. Co., Amsterdam (Paesi Bassi)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • A. Diligenti; M. Macucci; B. Pellegrini; M. Piotto (literal)
Pagina inizio
  • 676 (literal)
Pagina fine
  • 682 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 67-68 (literal)
Rivista
Note
  • Scopu (literal)
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy Istituto di Elettronica e di Ingegneria dell' Informazione e delle Telecomunicazioni, CNR, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy (literal)
Titolo
  • Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires (literal)
Abstract
  • Highly doped suspended silicon wires are fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) wafer. The fabrication is based on a three-mask process which uses only standard photolithography, wet etching, and thermal treatments. The starting material was highly doped by means of the spin-on-dopant technique and wires with dimensions in the nanometer range were obtained. Preliminary results about two-probe measurements of the I-V characteristics and a noise analysis of undamaged and damaged wires are presented and discussed. (literal)
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