Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.036 (literal)

Alternative label

• Bietti, S. 1, Somaschini, C. 1,2, Koguchi, N. 1,2, Frigeri, Cesare 3, Sanguinetti, Stefano 1,2 (2011)
  Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy
  in Journal of crystal growth; ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bietti, S. 1, Somaschini, C. 1,2, Koguchi, N. 1,2, Frigeri, Cesare 3, Sanguinetti, Stefano 1,2 (literal)

Pagina inizio

• 267 (literal)

Pagina fine

• 270 (literal)

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• ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-030 / 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) Location: Berlin, GERMANY Date: AUG 22-27, 2010 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024810011978 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 323 (literal)

Rivista

• Journal of crystal growth (Rivista)

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• 4 (literal)

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• 1 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• [ 1 ] L NESS, I-20125 Milan, Italy; [ 2 ] Dipartimento Sci Mat, I-20125 Milan, Italy; [ 3 ] Ist CNR IMEM, I-43100 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy (literal)

Abstract

• The fabrication of submicrometer GaAs islands directly on Si substrates by droplet epitaxy is presented. Islands parameters, like density and size, are fully controlled through growth temperature and Ga coverage. The process is fully scalable and at low thermal budget, making these islands good candidates for local artificial substrates with lattice parameters, band alignment and crystalline quality as now required for the implementation of high quality III-As devices on Si. (literal)

Editore

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CESARE FRIGERI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of crystal growth (Rivista)

Editore di

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy" (Insieme di parole chiave)