http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID204470
Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.036 (literal)
- Alternative label
Bietti, S. 1, Somaschini, C. 1,2, Koguchi, N. 1,2, Frigeri, Cesare 3, Sanguinetti, Stefano 1,2 (2011)
Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy
in Journal of crystal growth; ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Bietti, S. 1, Somaschini, C. 1,2, Koguchi, N. 1,2, Frigeri, Cesare 3, Sanguinetti, Stefano 1,2 (literal)
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- Pagina fine
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- ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-030 /
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) Location: Berlin, GERMANY Date: AUG 22-27, 2010 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024810011978 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- [ 1 ] L NESS, I-20125 Milan, Italy; [ 2 ] Dipartimento Sci Mat, I-20125 Milan, Italy; [ 3 ] Ist CNR IMEM, I-43100 Parma, Italy (literal)
- Titolo
- Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy (literal)
- Abstract
- The fabrication of submicrometer GaAs islands directly on Si substrates by droplet epitaxy is presented. Islands parameters, like density and size, are fully controlled through growth temperature and Ga coverage. The process is fully scalable and at low thermal budget, making these islands good candidates for local artificial substrates with lattice parameters, band alignment and crystalline quality as now required for the implementation of high quality III-As devices on Si. (literal)
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