Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP/GaAs junctions by electron beam methods (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP/GaAs junctions by electron beam methods (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1186/1556-276X-6-194 (literal)

Alternative label

• Frigeri, Cesare (1); Shakhmin, Alexey Aleksandrovich (2); Vinokurov, Dmitry Anatolievich (2); Zamoryanskaya, Maria Vladimirovna (2) (2011)
  Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP/GaAs junctions by electron beam methods
  in Nanoscale research letters (Online); Springer, New York (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Frigeri, Cesare (1); Shakhmin, Alexey Aleksandrovich (2); Vinokurov, Dmitry Anatolievich (2); Zamoryanskaya, Maria Vladimirovna (2) (literal)

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• 1 (literal)

Pagina fine

• 7 (literal)

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• ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-005 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/194 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 6 (literal)

Rivista

• Nanoscale research letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 194 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

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• [ 1 ] CNR IMEM Inst, I-43010 Parma, Italy [ 2 ] AF Ioffe Phys Tech Inst, St Petersburg 194021, Russia (literal)

Titolo

• Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP/GaAs junctions by electron beam methods (literal)

Abstract

• Electron beam methods, such as cathodoluminescence (CL) that is based on an electron-probe microanalyser, and (200) dark field and high angle annular dark field (HAADF) in a scanning transmission electron microscope, are used to study the deterioration of interfaces in InGaP/GaAs system with the GaAs QW on top of InGaP. A CL emission peak different from that of the QW was detected. By using HAADF, it is found that the GaAs QW does not exist any longer, being replaced by extra interlayer(s) that are different from GaAs and InGaP because of atomic rearrangements at the interface. The nature and composition of the interlayer(s) are determined by HAADF. Such changes of the nominal GaAs QW can account for the emission observed by CL. (literal)

Editore

• Springer (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP/GaAs junctions by electron beam methods" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CESARE FRIGERI (Persona)

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• Nanoscale research letters (Rivista)

Editore di

• Springer (Editore)

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