High-resolution transmission electron microscopy to study very thin crystalline layers buried at an amorphous-crystalline interface (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• High-resolution transmission electron microscopy to study very thin crystalline layers buried at an amorphous-crystalline interface (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2000-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• M. Re, E. Carlino, L. Sorba, A. Franciosi, B.H. Müller (2000)
  High-resolution transmission electron microscopy to study very thin crystalline layers buried at an amorphous-crystalline interface
  in Micron (1993)
  (literal)

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• M. Re, E. Carlino, L. Sorba, A. Franciosi, B.H. Müller (literal)

Pagina inizio

• 237 (literal)

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• 31 (literal)

Rivista

• Micron (Rivista)

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• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

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• Parco Scientico-tecnologico Ionico Salentino, Centro Nazionale Ricerca e Sviluppo Materiali, Strada Statale 7, Appia Km 712, I-72100, Italy Laboratorio Nazionale Tecnologie Avanzate Superfici e Catalisi, Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Area di Ricerca, Padriciano 99, I-34012 Trieste, Italy Istituto ICMAT, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Montelibretti, Roma, Italy (literal)

Titolo

• High-resolution transmission electron microscopy to study very thin crystalline layers buried at an amorphous-crystalline interface (literal)

Abstract

• Structure characterisation of interfaces is a field of widespread application of high resolution transmission electron microscopy for its very high spatial resolution. Specimen thickness and electron optical condition have a deep influence on the high resolution electron transmission microscopy image contrast. Hence, in many cases, the real structure of the sample can be understood from experimental images only by comparison with the relevant simulation. Moreover, the understanding of the contrast variation of a few A° at an interface is a task in which even the use of simulation could not produce an unequivocal solution of the experimental result. In this paper high resolution transmission electron microscopy image simulations show that two monolayers of crystalline material buried at an amorphous-crystalline interface can be successfully revealed and interpreted. The simulated images reproduce the experimental results as obtained from the Al/Si-As/n-GaAs (001) heterostructure. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di metodologie di microscopia elettronica per lo studio a risoluzione atomica delle proprieta' strutturali, elettroniche e magnetiche dei materiali (MD.P04.006.003) (Modulo)

Autore CNR

• ELVIO CARLINO (Unità di personale interno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)
• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• ELVIO CARLINO (Unità di personale interno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Sviluppo di metodologie di microscopia elettronica per lo studio a risoluzione atomica delle proprieta' strutturali, elettroniche e magnetiche dei materiali (MD.P04.006.003) (Modulo)

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• Micron (Rivista)