Crystallization of Nanometer Ge2Sb2Te5 Amorphous Regions Embedded in the Hexagonal Close Packed Structure (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Crystallization of Nanometer Ge2Sb2Te5 Amorphous Regions Embedded in the Hexagonal Close Packed Structure (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1149/2.024204esl (literal)

Alternative label

• Mio AM, D'Arrigo G, Carria E, Bongiorno C, Rossini S, Spinella C, Grimaldi MG, Rimini E (2012)
  Crystallization of Nanometer Ge2Sb2Te5 Amorphous Regions Embedded in the Hexagonal Close Packed Structure
  in Electrochemical and solid-state letters
  (literal)

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• Mio AM, D'Arrigo G, Carria E, Bongiorno C, Rossini S, Spinella C, Grimaldi MG, Rimini E (literal)

Pagina inizio

• H105 (literal)

Pagina fine

• H107 (literal)

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• http://esl.ecsdl.org/content/15/4 (literal)

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• 15 (literal)

Rivista

• Electrochemical and solid-state letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• [ 1 ] Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy [ 2 ] IMM CNR, I-95121 Catania, Italy [ 3 ] MATIS IMM CNR, I-95123 Catania, Italy [ 4 ] Micron Semicond Italia Srl, I-20864 Agrate Brianza, Italy (literal)

Titolo

• Crystallization of Nanometer Ge2Sb2Te5 Amorphous Regions Embedded in the Hexagonal Close Packed Structure (literal)

Abstract

• As an aid toward a better understanding of data retention of phase change memories we have analyzed in situ by Transmission Electron Microscopy the crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5 dots of 100 nm and 20 nm diameter, embedded in the hexagonal crystalline phase. Amorphization was obtained by 40 keV Ge+ irradiation at LN2 through Electron Beam Lithography masked pattern. At 75 degrees C/90 degrees C, crystallization in 100 nm dots occurs by grain growth from the surrounding crystalline material, with an initial growth velocity of 0.6 (6.4) pm/s followed by a slower rate of 0.14 (1.7) pm/s. At 75 degrees C, the 20 nm amorphous regions disappear just after two hours of annealing. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi Dispositivi di Silicio Oltre il CMOS Scaling (MD.P05.023.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Crystallization of Nanometer Ge2Sb2Te5 Amorphous Regions Embedded in the Hexagonal Close Packed Structure" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22746

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi Dispositivi di Silicio Oltre il CMOS Scaling (MD.P05.023.001) (Modulo)

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• Electrochemical and solid-state letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Crystallization of Nanometer Ge2Sb2Te5 Amorphous Regions Embedded in the Hexagonal Close Packed Structure" (Insieme di parole chiave)