Role of the Ge surface during the end of range dissolution (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Role of the Ge surface during the end of range dissolution (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4759031 (literal)

Alternative label

• Boninelli S, Impellizzeri G, Alberti A, Priolo F, Cristiano F, Spinella C (2012)
  Role of the Ge surface during the end of range dissolution
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Boninelli S, Impellizzeri G, Alberti A, Priolo F, Cristiano F, Spinella C (literal)

Pagina inizio

• 162103 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i16/p162103_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 101 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 16 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Univ Catania, CNR IMM MATIS, I-95123 Catania, Italy [ 2 ] Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy [ 3 ] CNR IMM, I-95121 Catania, Italy [ 4 ] CNRS, LAAS, F-31400 Toulouse, France [ 5 ] Univ Toulouse, LAAS, F-31400 Toulouse, France (literal)

Titolo

• Role of the Ge surface during the end of range dissolution (literal)

Abstract

• We investigated the structure of end-of-range (EOR) defects in Ge and the role played by the surface during their dissolution caused by annealing. Ge samples were amorphized with Ge+ ions at two different energies (30 and 100 keV) in order to induce, after solid phase epitaxial regrowth, the formation of EOR band at different depths. High resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy showed that the EOR population consists mainly on small defects and few dislocation loops lying on < 001 > planes. The deepest EOR defects are more stable during thermal annealing demonstrating the role of the surface during their dissolution. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Role of the Ge surface during the end of range dissolution" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)
• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Role of the Ge surface during the end of range dissolution" (Insieme di parole chiave)