Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.85.235310 (literal)

Alternative label

• Deretzis I, Camarda M, La Via F, La Magna A (2012)
  Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics
  (literal)

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• Deretzis I, Camarda M, La Via F, La Magna A (literal)

Pagina inizio

• 235310 (literal)

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• http://prb.aps.org/abstract/PRB/v85/i23/e235310 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 85 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

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• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 23 (literal)

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• IMM-CNR (literal)

Titolo

• Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations (literal)

Abstract

• We study coherent backscattering phenomena from single and multiple stacking faults (SFs) in 3C- and 4H-SiC within density functional theory quantum transport calculations. We show that SFs give rise to highly dispersive bands within both the valance and the conduction bands that can be distinguished for their enhanced density of states at particular wave-number subspaces. The consequent localized perturbation potential significantly scatters the propagating electron waves and strongly increases the resistance for n-doped systems. We argue that resonant scattering from SFs should be one of the principal degrading mechanisms for device operation in silicon carbide. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations" (Insieme di parole chiave)