Boron doping of silicon rich carbides: Electrical properties (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Boron doping of silicon rich carbides: Electrical properties (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.mseb.2012.10.030 (literal)

Alternative label

• C. Summonte, M. Canino, M. Allegrezza, M. Bellettato, A. Desalvo, R. Shukla,b, I.P. Jain, I. Crupic, S. Milita, L. Ortolani, L. LópezConesa, S. Estradé, F. Peiró, B. Garrido (2013)
  Boron doping of silicon rich carbides: Electrical properties
  in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• C. Summonte, M. Canino, M. Allegrezza, M. Bellettato, A. Desalvo, R. Shukla,b, I.P. Jain, I. Crupic, S. Milita, L. Ortolani, L. LópezConesa, S. Estradé, F. Peiró, B. Garrido (literal)

Pagina inizio

• 551 (literal)

Pagina fine

• 558 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510712005363 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 178 (literal)

Rivista

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 8 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• a Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi, Bologna, Italy b Centre of NonConventional Energy Resources, University of Rajasthan, Jaipur, India c Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi, Catania, Italy d MIND - UB, Electronics Department, University of Barcelona, Barcelona, Spain (literal)

Titolo

• Boron doping of silicon rich carbides: Electrical properties (literal)

Abstract

• Boron doped multilayers based on silicon carbide/silicon rich carbide, aimed at the formation of silicon nanodots for photovoltaic applications, are studied. X-ray diffraction confirms the formation of crystallized Si and 3C-SiC nanodomains. Fourier Transform Infrared spectroscopy indicates the occurrence of remarkable interdiffusion between adjacent layers. However, the investigated material retains memory of the initial dopant distribution. Electrical measurements suggest the presence of an unintentional dopant impurity in the intrinsic SiC matrix. The overall volume concentration of nanodots is determined by optical simulation and is shown not to contribute to lateral conduction. Remarkable higher room temperature dark conductivity is obtained in the multilayer that includes a boron doped well, rather than boron doped barrier, indicating efficient doping in the former case. Room temperature lateral dark conductivity up to 10-3 S/cm is measured on the multilayer with boron doped barrier and well. The result compares favorably with silicon dioxide and makes SiC encouraging for application in photovoltaic devices. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici (MD.P05.011.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MARIACONCETTA CANINO (Unità di personale interno)
• CATERINA SUMMONTE (Persona)
• LUCA ORTOLANI (Unità di personale interno)
• michele bellettato (Unità di personale esterno)
• AGOSTINO DESALVO (Persona)
• SILVIA MILITA (Persona)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• MARCO ALLEGREZZA (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• SILVIA MILITA (Persona)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• CATERINA SUMMONTE (Persona)
• michele bellettato (Unità di personale esterno)
• AGOSTINO DESALVO (Persona)
• MARCO ALLEGREZZA (Persona)
• LUCA ORTOLANI (Unità di personale interno)
• MARIACONCETTA CANINO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici (MD.P05.011.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)