High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4726189 (literal)

Alternative label

• L. Cavigli,1 S. Bietti,2 N. Accanto,1 S. Minari,1 M. Abbarchi,1 G. Isella,3 C. Frigeri,4 A. Vinattieri,1 M. Gurioli,1 and S. Sanguinetti2 (2012)
  High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon
  in Applied physics letters (Online); American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• L. Cavigli,1 S. Bietti,2 N. Accanto,1 S. Minari,1 M. Abbarchi,1 G. Isella,3 C. Frigeri,4 A. Vinattieri,1 M. Gurioli,1 and S. Sanguinetti2 (literal)

Pagina inizio

• 231112 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1Dipartimento di Fisica e Astronomia, LENS and CNISM, Universita´ di Firenze, Via Sansone 1, I-50019 Firenze, Italy 2L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita´ di Milano Bicocca, Via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy 3L-NESS and Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Via Anzani 42, 22100 Como, Italy 4CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, 43100 Parma, Italy (literal)

Titolo

• High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon (literal)

Abstract

• We report on triggered single photon emission from GaAs quantum dots, grown on Si substrates and obtained by means of fabrication protocols compatible with the monolithic integration on Si based microelectronics. Very bright and sharp individual exciton lines are resolved in the spectra and can be followed up to 150 K. The nature of quantum emitters of single photon pulses can be measured up to liquid nitrogen temperature by Hanbury Brown and Twiss interferometric correlations. (literal)

Editore

• American Institute of Physics (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CESARE FRIGERI (Persona)

Editore di

• American Institute of Physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "High temperature single photon emitter monolithically integrated on silicon" (Insieme di parole chiave)